1、这类器件包括光电池、光电晶体管等。
2、本文提出了高压低饱和压降GTR的最佳设计方法。分析表明,高压低饱和压降晶体管采用集电区穿通性设计比非穿通性设计有利。
3、我们必须十分重视晶体管的偏置.
4、这种新晶体管的开关时间将延长三分之二。
5、光电晶体管。集电极发射极发射极电压30V的集电极电压6五,集电极电流为20毫安。功耗100毫瓦。
6、硅互补PNP晶体管。达林顿功放。
7、正如阿南特加瓦尔解释说,中医取代单核心处理器已经变得如此复杂,并增加了更多的晶体管,它的技术达到了死胡同。
8、首先看看他的成就:他发明了一项叫做聚合酶链式反应的技术,这项技术对于生物学的意义就如同晶体管对于计算机的意义。
9、描述了双极型晶体管及其制造.
10、介绍了用万用表检测集成电路块和单结晶体管的方法。